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APTMC120AM20CT1AG

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APTMC120AM20CT1AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營優勢產品

APTMC120AM20CT1AG
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
273529
MICROCHIP
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

APTMC120AM20CT1AG
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
273529
MICROCHIP
con
24+
-

APTMC120AM20CT1AG
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
273529
MICROCHIP
con
24+
-

APTMC120AM20CT1AG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
273529
MICROCHIP
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

APTMC120AM20CT1AG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
273529
MICROCHIP
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

APTMC120AM20CT1AG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
63330
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APTMC120AM20CT1AG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
TUBE
1521+
-
全新原裝現貨

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Phase leg 1200V 17mOhm 360nC Power Module MOSFET
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC120AM20CT1AG 技術參數

APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:131A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:220A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:295A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM08CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:490nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9500pF @ 1000V 功率 - 最大值:1100W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK

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