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APTMC120HRM40CT3AG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTMC120HRM40CT3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營優勢產品

APTMC120HRM40CT3AG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
77710
Microchip Technology
Module
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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APTMC120HRM40CT3AG PDF下載

功能描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
FET 類型
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
73A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
34 毫歐 @ 50A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 12.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
161nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2788pF @ 1000V
功率 - 最大值
375W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
SP3
標準包裝
1

APTMC120HRM40CT3AG 技術參數

APTMC120HR11CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:2 N 溝道（相腳 + 雙共發射極）應用:通用電壓 - 額定:1200V（1.2kV）額定電流:26A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120HR11CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120HM17CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:4 個 N 通道 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:147A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:332nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5576pF @ 1000V 功率 - 最大值:750W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM55CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:55A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:105A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK