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APTM50SKM19G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50SKM19G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G

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APTM50SKM19G PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM50SKM19G 技術參數

APTM50SKM17G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50HM75STG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50HM75SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50HM75FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50HM75FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG