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AUIRFS3306TRR

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功能描述
MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRFS3306TRR 技術參數

AUIRFS3306TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4520pF @ 50V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRFS3306 功能描述:MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4520pF @ 50V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS3207Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6920pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS3206TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 AUIRFS3206 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS4115-7TRL AUIRFS4115TRL AUIRFS4127 AUIRFS4127TRL AUIRFS4310 AUIRFS4310TRL AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4410Z AUIRFS4610 AUIRFS6535 AUIRFS6535TRL AUIRFS8403 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405 AUIRFS8405TRL AUIRFS8407 AUIRFS8407-7P