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AUIRFZ44VZSTRR

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRFZ44VZSTRR
    AUIRFZ44VZSTRR

    AUIRFZ44VZSTRR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • D2PAK

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • AUIRFZ44VZSTRR
    AUIRFZ44VZSTRR

    AUIRFZ44VZSTRR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
AUIRFZ44VZSTRR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFZ44VZSTRR 技術參數
  • AUIRFZ44VZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):57A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:92W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRFZ44VZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):57A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:92W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ44NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17.5 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1470pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRFZ44N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17.5 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1470pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRFZ34N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250 AUIRGF65A40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E
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