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AUIRG4BC30S-SL

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  • AUIRG4BC30S-SL
    AUIRG4BC30S-SL

    AUIRG4BC30S-SL

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • AUIRG4BC30S-SL
    AUIRG4BC30S-SL

    AUIRG4BC30S-SL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2350

  • IR

  • TO-262

  • 201315+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
AUIRG4BC30S-SL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AUIRG4BC30S-SL 技術參數
  • AUIRG4BC30S-S 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件 零件狀態:停產 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,18A 功率 - 最大值:100W 開關能量:260μJ(開),3.45mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:50nC 25°C 時 Td(開/關)值:22ns/540ns 測試條件:480V,18A,23 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AUIRFZ48N 功能描述:MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):69A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRFZ46NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1696pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGP76524D0
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