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AUIRLR3915TRR

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRLR3915TRR
    AUIRLR3915TRR

    AUIRLR3915TRR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AUIRLR3915TRR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRLR3915TRR 技術參數
  • AUIRLR3915 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標準包裝:75 AUIRLR3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR3636 功能描述:MOSFET N-CH 60V 99A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:49nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3779pF @ 50V 功率 - 最大值:143W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR3410TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 AUIRLR3410TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 5V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D-Pak 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,000 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S
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