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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A3PN125-1VQG100I |
| 元件分類： | FPGA |
| 英文描述： | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 66/106頁(yè) |
| 文件大小： | 3324K |
| 代理商： | A3PN125-1VQG100I |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2- 48
R e visio n 8
Timing Characteristics
Figure 2-18 Output DDR Timing Diagram
11
6
1
7
2
8
3
910
45
28
3
9
tDDROREMCLR
tDDROHD1
tDDROREMCLR
tDDROHD2
tDDROSUD2
tDDROCLKQ
tDDRORECCLR
CLK
Data_R
Data_F
CLR
Out
tDDROCLR2Q
710
4
Table 2-64 Output DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tDDROCLKQ
Clock-to-Out of DDR for Output DDR
0.70
0.80
0.94
ns
tDDROSUD1
Data_F Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROSUD2
Data_R Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROHD1
Data_F Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROHD2
Data_R Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Out for Output DDR
0.80
0.91
1.07
ns
tDDROREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Output DDR
0.00
ns
tDDRORECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROWCLR1
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROCKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for the Output DDR
0.36
0.41
0.48
ns
tDDROCKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for the Output DDR
0.32
0.37
0.43
ns
FDDOMAX
Maximum Frequency for the Output DDR
350.00 350.00 350.00
MHz
Note:
For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A3PN125-1VQG100 | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| A3PN125-2VQ100I | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| A3PN125-2VQ100 | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| A3PN125-2VQG100I | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| A3PN125-2VQG100 | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A3PN125-2VQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN125-2VQ100I | 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN125-2VQG100 | 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN125-2VQG100I | 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN125-DIELOT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:A3PN125-DIELOT - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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