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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ALD1106DBMXXXX |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 12 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | ALD1106DBMXXXX |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1106SBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1116DAMXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107DBMXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1117SAXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107SBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ALD1106PB | 功能描述:MOSFET Quad N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1106PBL | 功能描述:MOSFET Quad N-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1106SB | 功能描述:MOSFET Quad N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1106SBL | 功能描述:MOSFET Quad N-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1107 | 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
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