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參數(shù)資料
| 型號： | AM80912-030 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, S036, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | AM80912-030 |
August 1992
SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.400 x .400 2LFL (S036)
hermetically sealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTED
.
15:1 VSWR CAPABILITY
.
LOW RF THERMAL RESISTANCE
.
INPUT/OUTPUT MATCHING
.
OVERLAY GEOMETRY
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
POUT
= 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN
DESCRIPTION
The AM80912-030 device is a high power Class C
transistor specifically designed for JTIDS pulsed out-
put and driver applications.
This device is capable of operation over a wide range
of pulse widths, duty cycles and temperatures and is
capable of withstanding 15:1 output VSWR at rated
RF conditions.
Low RF thermal resistance and computerized auto-
matic wire bonding techniques ensure high reliability
and product consistency.
The AM80912-030 is supplied in the hermetic met-
al/ceramic package with internal input matching
structures.
PIN CONNECTION
BRANDING
80912-30
ORDER CODE
AM80912-030
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase
= 25°C)
RTH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
2.2
°C/W
*Applies only to rated RF amplifier operation.
AM80912-030
1. Collector
3. Emitter
2. Base
4. Base
THERMAL DATA
Symbol
Parameter
Value
Unit
PDISS
Power Dissipation*
(TC
≤ 85°C)
75
W
IC
Collector Current*
3.5
A
VCC
Collector-Supply Voltage*
40
V
TJ
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
250
°C
TSTG
Storage Temperature
65 to +200
°C
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AMB830 | RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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