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參數資料
| 型號： | AO4404B |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 510K |
| 代理商： | AO4404B |
AO4404B
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
8.5A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 24m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 30m
RDS(ON) (at VGS = 2.5V)
< 48m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
The AO4404B uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This device
makes an excellent high side switch for notebook CPU
core DC-DC conversion.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
Drain-Source Voltage
30
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
mJ
Avalanche Current
C
10
A
14
A
ID
8.5
7.1
60
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
3.1
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4406AL | 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4420 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4433 | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4600L | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4600 | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000 |
| AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4405E | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000 |
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