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參數資料
| 型號： | AOD422 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | AOD422 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
16.7
40
1.9
Max
25
50
2.5
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
V
V
±8
10
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
G
Drain-Source Voltage
20
A
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
T
C
=100°C
10
30
15
26
50
20
2.5
Pulsed Drain Current
C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
T
C
=25°C
I
D
A
mJ
W
T
A
=70°C
1.6
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
W
Power Dissipation
A
P
DSM
AOD422, AOD422L (Green Product)
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Rev 2: Sep 2004
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 10 A
R
DS(ON)
< 22m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 26m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 34m
(V
GS
= 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AOD422 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. It is ESD protected. AOD422L (Green
Product) is offered in a Lead Free package.
D
S
G
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD422L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AP2085 | 5 GHz Power Amplifier |
| AP9685M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9926EO | Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching |
| AP9973M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOD422L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD423 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標準包裝:2,500 |
| AOD424 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 18A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOD425 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 50A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOD425_001 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），50A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:38nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），71W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 |
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