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參數資料
| 型號： | AOI4184 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | AOI4184 |
AOD4184/AOI4184
40V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
50A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 8m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 11m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
120
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.3
25
TC=100°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
18
44
22
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
40
The AOD4184/AOI4184 used advanced trench technology
and design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK
package, those devices are well suited for high current
load applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
40V
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
5
Continuous Drain
Current
61
6.5
A
35
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
50
40
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
50
1.5
TA=25°C
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
2.4
55
3
G
D
S
TO252
DPAK
TopView
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
D
Top View
Bottom View
TO-251A
IPAK
Rev0 : April 2009
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD4184 | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOL1413 | 38 A, 30 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1414 | 85 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1712 | 65 A, 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1718 | 90 A, 30 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOI4185 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI423 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 |
| AOI4286 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4286L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI442 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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