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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOI472A |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | AOI472A |
AOI472A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
GS
(V
o
lts)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
0
5
10
15
20
25
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Capaci
tance
(pF)
Ciss
0
40
80
120
160
200
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
Po
w
e
r(
W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θJC
Norm
al
iz
ed
Transi
ent
Therm
al
Resi
stance
Coss
Crss
VDS=12.5V
ID=30A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
100
s
RθJC=3°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AP02N40J | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AOI478 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
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| AOI4C60 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO251 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4C60L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO251 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4N60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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