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參數資料
型號: AP9120GJ-HF
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 8 A, 200 V, 0.68 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 62K
代理商: AP9120GJ-HF
AP9120GH/J-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Q
VG
-10V
QGS
QGD
QG
Charge
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A
)
100us
1ms
10ms
100ms
DC
T C =25
o C
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
12
0
1020
304050
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D = -5A
V DS = -160V
0
400
800
1200
1600
2000
1
5
9
1317
2125
29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
Operation in this area
limited by RDS(ON)
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
相關PDF資料
PDF描述
AP9120GH-HF 8 A, 200 V, 0.68 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP92T03GI-HF 80 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP9406MP 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP9408AGM 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數描述
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AP9161100 制造商:Schneider Electric 功能描述:Data Center Operation: IT Power Control 100 Rack License
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