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參數資料
| 型號： | APT100GF60JR |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | APT100GF60JR |
052-6261
Rev
A
6-2002
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
IC = IC2
TJ = +25°C
f = 1MHz
9V
10V
8V
Cies
Cres
11V
7V
11V
10V
8V
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.05
D=0.5
0.2
0.01
SINGLE PULSE
Coes
VGE=17, 15 & 13V
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
VGE=17, 15 & 13V
TC=-55°C
TC=+150°C
0.1
OPERATION
LIMITED
BY
VCE (SAT)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ VGE = 15V
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
1
10
100
600
.01
0.1
1.0
10
50
0
100
200
300
400
500
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
0.02
200
160
120
80
40
0
80
60
40
20
0
10,000
5,000
1,000
500
100
9V
TC=+25°C
7V
200
160
120
80
40
0
280
100
10
1
20
16
12
8
4
0
VCE=300V
VCE=480V
VCE=120V
0.35
0.3
0.05
0.01
0.005
0.001
250sec.PulseTest
VGE =15V
100s
1ms
10ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GT120JU2 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APT1201R5BFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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