- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48367 > APT100GF60JR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT100GF60JR |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | APT100GF60JR |
APT100GF60JR
052-6261
Rev
A
6-2002
160
140
120
100
80
60
40
20
0
40
30
20
10
0
8
6
4
2
0
TOTAL
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
TOTAL
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
B
V
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
(SAT),
COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(NORMALIZED)
SATURATION
VOLTAGE
(VOLTS)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
TJ = +25°C
IC = IC2
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
TJ = +125°C
RG = 10
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
RG = 10
0.5 IC2
IC2
Eon
Eoff
Eon
Eoff
0.5 IC2
IC2
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 8, Typical VCE(SAT) Voltage vs Junction Temperature
Figure 9, Maximum Collector Current vs Case Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10, Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 11, Typical Switching Energy Losses vs Gate Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 12, Typical Switching Energy Losses vs. Junction Temperature
Figure 13, Typical Switching Energy Losses vs Collector Current
F, FREQUENCY (KHz)
Figure 14,Typical Load Current vs Frequency
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
20
40
60
80
100
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
20
40
60
80
100
0.1
1.0
10
100
1000
ForBoth:
Duty Cycle = 50%
TJ = +125°C
Tsink = +90°C
Gatedriveasspecified
Powerdissapation=83W
ILOAD=IRMS offundamental
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
20
10
1
100
10
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GT120JU2 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT10M07JVFR | 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVR | 144 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT11N80GC3 | 7.4 A, 800 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| APT1201R5BFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT100GF60JRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。