- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48367 > APT100GT120JU2 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT100GT120JU2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | APT100GT120JU2 |
APT100GT120JU2
A
PT
100G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3 – 7
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF = 30A
2.0
2.5
IF = 60A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
VR = 1200V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 1200V
Tj = 125°C
500
A
CT
Junction Capacitance
VR = 200V
32
pF
Reverse Recovery Time
IF=1A,VR=30V
di/dt =100A/s
Tj = 25°C
31
Tj = 25°C
370
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
500
ns
Tj = 25°C
5
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
Tj = 125°C
12
A
Tj = 25°C
660
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
3450
nC
trr
Reverse Recovery Time
220
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
4650
nC
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
37
A
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.26
RthJC
Junction to Case
Diode
1.1
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG Storage Temperature Range
-55
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
Typical IGBT Performance Curve
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C (A)
Fm
ax
,O
p
er
at
in
g
F
requ
e
ncy
(k
H
z
)
V
CE=600V
D=50%
R
G=3.9
T
J=125°C
Operating Frequency vs Collector Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10M07JVFR | 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVR | 144 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT11N80GC3 | 7.4 A, 800 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| APT1201R5BFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1201R5SFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT100GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT60B2R | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT100GT60B2RG | 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT100GT60JR | 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT60JRDL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。