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參數資料
| 型號： | APT100GT120JU2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 7/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | APT100GT120JU2 |
APT100GT120JU2
A
PT
100G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
7 – 7
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
Gate
Collector
Cathode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10M07JVFR | 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVR | 144 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT11N80GC3 | 7.4 A, 800 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| APT1201R5BFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1201R5SFVR | 10 A, 1200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT100GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT60B2R | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT100GT60B2RG | 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT100GT60JR | 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT60JRDL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube |
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