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參數資料
| 型號： | APT10M25BNFR-GULLWING |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | APT10M25BNFR-GULLWING |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10M25BNFR-BUTT | 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT10M30BNFR | 75 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT10M25BNFR | 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1101R2BFLL | 10 A, 1100 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1101R2SFLL | 10 A, 1100 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT10M25BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
| APT10M25BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M25BVFRG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR |
| APT10M25BVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M25BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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