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參數資料
型號: APT12045L2VFRG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: JFETs
英文描述: 28 A, 1200 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝: TO-264MAX, 3 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 129K
代理商: APT12045L2VFRG
050-5844
Rev
A
4-2004
APT12045L2VFR
Typical Performance Curves
4V
4.5V
5V
5.5
VGS =15V, 10V, 8V & 6V
VGS=10V
VGS=20V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE
FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, R
DS(ON) vs. TEMPERATURE
FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE
VDS> ID (ON) x RDS(ON) MAX.
250 SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
R
DS(ON)
,DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS(TH)
,THRESHOLD
VOLTAGE
B
V
DSS
,DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS(ON)
,DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
60
50
40
30
20
10
0
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.09
0.08
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Typical Performance Curves
80
70
60
50
40
30
20
10
0
30
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ ID = 14A
I
D = 14A
V
GS = 10V
0.0367
0.0923
0.0215
0.0627F
0.761F
50.8F
Power
(watts)
Junction
temp. (
°C)
RC MODEL
Case temperature. (
°C)
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PDF描述
APT12045L2VFR 28 A, 1200 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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