- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄48368 > APT13GP120KG (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT13GP120KG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | APT13GP120KG |
050-7415
Rev
B
2-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT13GP120K
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
510
15
20
25
30
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
Cres
Cies
Coes
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 600V
RG = 5
3,000
1,000
500
100
10
1
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
181
100
50
10
0.216
0.284
0.600F
0.161F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
Case temperature
RC MODEL
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT13GP120K | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT150GN60J | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GF120JCU2 | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GN120BDQ1G | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT13GP120S | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT13GP120SG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT14050JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標準包裝:10 系列:* |
| APT14F100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT14F100B_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。