欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: APT20GN60B
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 397K
代理商: APT20GN60B
050-7614
Rev
A
7-2005
APT20GN60B(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT15DQ60
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-247 Package Outline
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
相關PDF資料
PDF描述
APT20GT60KR 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT20GT60KRG 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT20M20JFLL 104 A, 200 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M22B2VR 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M22B2VR 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20GN60BDQ1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT 600V 40A 136W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT20GN60BG 功能描述:IGBT 600V 40A 136W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT20GN60K 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT
APT20GN60KG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SIN - Rail/Tube
主站蜘蛛池模板: 佛坪县| 溧阳市| 修文县| 西城区| 高清| 太仆寺旗| 大邑县| 庄河市| 闽清县| 工布江达县| 平舆县| 余姚市| 布尔津县| 佛坪县| 同德县| 吉林省| 政和县| 大姚县| 响水县| 岚皋县| 长岭县| 红桥区| 丹阳市| 天全县| 晋州市| 皮山县| 宜兴市| 华容县| 长寿区| 济南市| 邵阳县| 米泉市| 吉木乃县| 依安县| 金乡县| 永春县| 吉木萨尔县| 股票| 肇源县| 海兴县| 中牟县|