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參數資料
| 型號： | APT25GP90BDQ1 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | APT25GP90BDQ1 |
050-7476
Rev
A
11-2005
APT25GP90BDQ1(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT15DQ100
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GP90BDQ1G | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1G | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT3010BNFR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30M85BNFR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT25GP90BDQ1G | 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT25GP90BG | 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT25GR120B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BD15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BSCD10 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE TRANSISTOR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
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