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APT25GP90BDQ1G

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APT25GP90BDQ1G
現貨
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
10000
MICROSEMI
Standard
2025+
-
頂級代理現貨原裝假一賠十

APT25GP90BDQ1GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT25GP90BDQ1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT25GP90BDQ1G
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
1042
MICROSEMI
2014+
-
公司現貨!只做原裝!

APT25GP90BDQ1G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT25GP90BDQ1G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
15352
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT25GP90BDQ1G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
模塊
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT25GP90BDQ1G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
IGBT 900V 72A 417W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT25GP90BDQ1G 技術參數

APT25GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:500μJ（開），438μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/70ns 測試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:500μJ（開），440μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/70ns 測試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關能量:- 輸入類型:標準柵極電荷:155nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關能量:2.15μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:155nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關能量:2.15μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:155nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J

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