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APT25GN120B2DQ2G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT25GN120B2DQ2GMI
    APT25GN120B2DQ2GMI

    APT25GN120B2DQ2GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • T-MAX?

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAX

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3 Variant

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 模塊

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • APT

  • TO-3P

  • 13+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨庫存

  • APT25GN120B2DQ2G
    APT25GN120B2DQ2G

    APT25GN120B2DQ2G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 50

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
APT25GN120B2DQ2G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 67A 272W TMAX
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標準
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應商設備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT25GN120B2DQ2G 技術參數(shù)
  • APT25GLQ120JCU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:170W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,25A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.43nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):625W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):390 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 APT24M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):390 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4595pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT24M120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):680 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8370pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT24M120B2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):630 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8370pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT25GR120S APT25GR120SD15 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2
配單專家

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