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參數資料
| 型號： | APT40GP90BG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | APT40GP90BG |
050-7479
Rev
A
5-2004
APT40GP90B
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE = 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE = 10V)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VCE = 720V
VCE = 450V
VCE = 180V
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC = -50°C
TC = 125°C
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = -50°C
TC = 25°C
Package limited
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
IC = 40A
TJ = 25°C
IC = 80A
IC = 20A
IC = 40A
IC = 20A
IC = 40A
IC = 80A
0
123
4
5
6
0
123456
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
6
8
10
12
14
16
-55
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4
3
2
1
0
140
120
100
80
60
40
20
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GP90B | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT40GP90J | 68 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GP90J | 68 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GU60JU2 | 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40N60JCU3 | 40 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT40GP90J | 功能描述:IGBT 900V 68A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT40GP90JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT40GP90JDQ2 IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227 |
| APT40GR120B | 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT40GR120B2D30 | 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT40GR120B2SCD10 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
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