欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: APT45GP120BG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 91K
代理商: APT45GP120BG
050-7429
Rev
C
6-2003
APT45GP120B
1200V
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency
switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
100 kHz operation @ 800V, 16A
Low Gate Charge
50 kHz operation @ 800V, 28A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA rated
POWER MOS 7
IGBT
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
500
2500
±100
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 500A)
Gate Threshold Voltage
(VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 45A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 45A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)
Symbol
BVCES
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
UNIT
Volts
A
nA
Symbol
VCES
VGE
VGEM
IC1
IC2
ICM
RBSOA
PD
TJ,TSTG
TL
APT45GP120B
1200
±20
±30
100
54
170
170A @ 960V
625
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage Transient
Continuous Collector Current
7 @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 110°C
Pulsed Collector Current 1
@ TC = 25°C
Reverse Bias Safe Operating Area @ TJ = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
TO-247
G
C
E
G
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT47N60HC3 33.5 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA
APT47N60SC3 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60BC3 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT45GP120J 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ(開),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
主站蜘蛛池模板: 门源| 高州市| 沁阳市| 石嘴山市| 永登县| 奉化市| 泗洪县| 凌源市| 普兰店市| 台中市| 安阳市| 响水县| 客服| 安多县| 长乐市| 安龙县| 寻乌县| 平泉县| 辰溪县| 承德市| 金华市| 登封市| 牟定县| 阿拉善盟| 顺义区| 罗山县| 靖安县| 龙井市| 佛冈县| 邵阳县| 荥经县| 铜梁县| 广安市| 崇明县| 宁晋县| 西宁市| 平乐县| 郯城县| 河间市| 慈利县| 道真|