- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄57947 > APT45GP120JDQ2 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT45GP120JDQ2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | APT45GP120JDQ2 |
050-7445
Rev
A
6-2005
APT45GP120JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 750A)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT45GP120JDQ2
1200
±30
75
34
170
170A @ 960V
329
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Reverse Biad Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
750
3000
±100
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
100 kHz operation @ 800V, 16A
Low Gate Charge
50 kHz operation @ 800V, 30A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA Rated
POWER MOS 7 IGBT
C
E
G
SO
T-2
27
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
1200V
APT45GP120JDQ2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5010B2FLC | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLC | 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLL | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLL | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JLLU2 | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ（開），580μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65SSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。