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參數資料
| 型號： | APT50GF60JU3 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | APT50GF60JU3 |
APT50GF60JU3
A
PT
50G
F60J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6- 8
Typical Diode Performance Curve
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN60BDQ2 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60BDQ2 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60BDQ2G | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GS60BRDL | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GL60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 |
| APT50GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT50GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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