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參數資料
| 型號： | APT50GN60BDQ2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | APT50GN60BDQ2 |
050-7613
Rev
B
7-2005
APT50GN60BDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
15V
9V
8V
7V
10V
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
140
120
100
80
60
40
20
0
13V
11V
12V
V
CE = 120V
V
CE =480V
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50 100 150 200 250 300 350 400
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100 125
150 175
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
V
CE = 300V
IC = 50A
TJ = 25°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 50A
I
C = 100A
I
C = 25A
I
C = 100A
I
C = 50A
I
C = 25A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 175°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 175°C
LeadTemperature
Limited
LeadTemperature
Limited
VGE = 15V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GN60BDQ2 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60BDQ2G | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GS60BRDL | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GN60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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