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參數資料
| 型號： | APT50GN60BDQ2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | APT50GN60BDQ2 |
050-7613
Rev
B
7-2005
APT50GN60BDQ2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT40DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GN60BDQ2G | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GS60BRDL | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ1 | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GN60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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