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參數資料
| 型號： | APT50GS60BRDL |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | APT50GS60BRDL |
0.0731
0.226
0.00606
0.260
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
Figure 20, Transient Thermal Impedance Model
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 21, Operating Frequency vs Collector Current
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
F
MAX
,OPERA
TING
FREQUENCY
(kHz)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 17, Forward Safe Operating Area
Figure 18, Maximum Forward Safe Operating Area
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
1
10
100
800
1
10
100
800
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
200
100
10
1
0.1
200
100
10
1
0.1
Scaling for Different Case & Junction
Temperatures:
I
C = IC(T
C
= 25
°C)*(TJ - TC)/125
T
J = 150°C
T
C = 25°C
1ms
100ms
VCE(on)
DC line
100μs
I
CM
10ms
13μs
T
J = 125°C
T
C = 75°C
1ms
100ms
VCE(on)
DC line
100μs
I
CM
10ms
13μs
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 4.7Ω
75°C
100°C
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
0
10
20
30
40 50
60
70 80
90
160
140
120
100
80
60
40
20
0
APT50GS60BRDL(G)
052-6352
Rev
A
7-2008
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ1 | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ2 | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50M60JVR | 63 A, 500 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GS60BRDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT50GS60BRDQ2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode |
| APT50GS60BRDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GS60BRG | 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GS60SR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
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