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參數資料
| 型號： | APT50GT120B2RG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-247, TMAX, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 395K |
| 代理商： | APT50GT120B2RG |
052-6270
Rev
A
8-2005
APT50GT120B2R(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT50GT120B2R(G)
1200
±30
106
50
150
150A @ 1200V
694
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current 8 @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
G
C
E
1200V
APT50GT120B2R
APT50GT120B2RG*
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
The Thunderblot IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non- Punch
Through Technology, the Thunderblot IGBT offers superior ruggedness and ultrafast
switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 50KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
Thunderbolt IGBT
T-MaxTM
G
C
E
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 3mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 2mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
A
nA
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
4.0
300
TBD
300
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT120B2R | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT120LRG | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT120LR | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT120JRDQ2 | 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120JRDQ2 | 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GT120JRDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GT120LR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT120LRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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