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參數(shù)資料
| 型號： | APT50GT60BRDQ2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | APT50GT60BRDQ2 |
052-6272
Re
v
C
6-2008
APT50GT60BRDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure19a,MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-To-CasevsPulseDuration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
4,000
1,000
500
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure17,CapacitancevsCollector-To-EmitterVoltage
Figure18,MinimimSwitchingSafeOperatingArea
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE19b,TRANSIENTTHERMALIMPEDANCEMODEL
10 20
30
40
50
60
70
80
90 100
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure20,OperatingFrequencyvsCollectorCurrent
120
50
10
2
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
oes
C
res
C
ies
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.114
0.113
0.0057
0.0276
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 5
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