- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48371 > APT60GF60JRDQ3 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT60GF60JRDQ3 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | APT60GF60JRDQ3 |
052-6287
Rev
A
4-2006
APT60GF120JRDQ3
400
350
300
250
200
150
100
50
0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
30A
60A
120A
30A
60A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
350
300
250
200
150
100
50
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
120A
60A
30A
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT60GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GL120JU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU2_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。