- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48371 > APT65GP60JDF2 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT65GP60JDF2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | APT65GP60JDF2 |
050-7441
Rev
C
9-2004
APT65GP60JDF2
TJ = 125°C
VR = 400V
15A
30A
60A
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
30A
60A
15A
140
120
100
80
60
40
20
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
TJ = 125°C
VR = 400V
trr
Qrr
trr
IRRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
250
200
150
100
50
0
TJ = 125°C
VR = 400V
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GN120LG | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT65GP60JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT65GP60L2DF2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2G | 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT66F60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。