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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT75GT120JRDQ3 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Thunderbolt IGBT |
| 中文描述： | IGBT的霹靂 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 460K |
| 代理商： | APT75GT120JRDQ3 |
0
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
STG
T
L
APT75GT120JRDQ3
1200
±30
97
42
225
225A @ 1200V
481
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C
= 25°C
Continuous Collector Current @ T
C
= 110°C
Pulsed Collector Current
1
@ T
C
= 150°C
Switching Safe Operating Area @ T
J
= 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
The Thunderblot
IGBT
is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non- Punch
Through Technology, the Thunderblot
IGBT
offers superior ruggedness and ultrafast
switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 20KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Thunderbolt IGBT
SOT-227
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
E
C
APT75GT120JRDQ3
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE
= 0V, I
C
= 4mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE
= V
GE
, I
C
= 3mA, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 75A, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 75A, T
j
= 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE
= ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
μA
nA
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION:
These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
3.9
200
TBD
480
5
C
E
G
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| APT75M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT75M50B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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