- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄36729 > APTGF150DH120 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF150DH120 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | APTGF150DH120 |
APTGF150DH120
A
PT
G
F1
50
D
H
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
200
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
1040
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C 300A @ 1200V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
G4
E4
VBUS
G1
E1
0/VBUS
OUT2
OUT1
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Asymmetrical - Bridge
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF150DU120T | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150DU120T | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150H120 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150H120 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150X60TE3 | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF150DH120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF150DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF150DU120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF150H120 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF150H120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。