- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄366577 > APTGF300U60D4 (Advanced Power Technology Ltd.) Single switch NPT IGBT Power Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APTGF300U60D4 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Single switch NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 單開關不擴散核武器條約IGBT功率模塊 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | APTGF300U60D4 |
APTGF300U60D4
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
600
375
300
600
±20
1130
600A@520V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operation Area
A
V
W
3
5
2
1
5
3
4
1
2
V
CES
= 600V
I
C
= 300A @ Tc = 80°C
Application
Features
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Non Punch Through (NPT) fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M6 connectors for power
-
M4 connectors for signal
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Single switch
NPT IGBT Power Module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF30H60T3 | Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60BTP2 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60E2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60P2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF330A60D3 | Phase leg NPT IGBT Power Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGF300U60D4G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF30H60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF30H60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30H60T3G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。