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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF50A120T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.4
RthJC
Junction to Case
Diode
0.65
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
W
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
ú
ù
ê
é
÷÷
è
-
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Package outline
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF530U120D4G | IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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