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參數資料
| 型號： | APTGT150DA120T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 278K |
| 代理商： | APTGT150DA120T |
APTGT150DA120T
A
P
T
G
T
150
D
A
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
350
mA
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 150A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
10.7
Coes
Output Capacitance
0.56
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.48
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
450
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2
75
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
14
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2
16
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
150
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
15
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
VR = 600V
di/dt =3000A/s
Tj = 125°C
29
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200SK120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200SK120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT150DA120TG | 功能描述:IGBT 1200V 200A 690W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT150DA12DX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT150DA170 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT150DA170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150DA170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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