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參數資料
| 型號： | APTGT150DA120T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT150DA120T |
APTGT150DA120T
A
P
T
G
T
150
D
A
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case
Diode
0.32
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
1.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Package outline (dimensions in mm)
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200SK120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200SK120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT150DA120TG | 功能描述:IGBT 1200V 200A 690W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT150DA12DX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT150DA170 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT150DA170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150DA170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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