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參數資料
| 型號： | APTGT450SK60 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | APTGT450SK60 |
APTGT450SK60
A
P
T
G
T
450
S
K
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
500
A
Tj = 25°C
1.4
1.8
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 450A
Tj = 150°C
1.5
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
37
Coes
Output Capacitance
2.3
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.1
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
55
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 450A
RG = 2.2
60
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
145
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
80
ns
Eon
Turn on Energy
7.8
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 450A
RG = 2.2
15.7
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
500
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
750
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
450
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 450A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.4
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
20.3
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 450A
VR = 300V
di/dt =4000A/s
Tj = 150°C
42.8
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT450SK60 | 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600A60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600A60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT450SK60G | 功能描述:IGBT 600V 550A 1750W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT50A1202G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT50A120D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT50A120D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT50A120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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