- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄48375 > APTGT450SK60 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGT450SK60 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | APTGT450SK60 |
APTGT450SK60
A
P
T
G
T
450
S
K
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
200
400
600
800
1000
00.5
1
1.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
56
78
9
10
11
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
25
30
35
0
200
400
600
800
1000
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
101214
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 450A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
al
I
m
pe
da
n
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT450SK60 | 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600A60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600A60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT450SK60G | 功能描述:IGBT 600V 550A 1750W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT50A1202G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT50A120D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT50A120D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT50A120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。