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參數資料
| 型號： | APTGT75DA170D1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | APTGT75DA170D1G |
APTGT75DA170D1G
APTG
T75DA170
T1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
1 – 4
1
2
3
Q2
6
7
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC = 25°C
130
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
465
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
150A @ 1600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M5 power connectors
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Boost chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
VCES = 1700V
IC = 75A @ Tc = 80°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DDA60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DDA60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DH120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DH120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DH60T3G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT75DA170T1G | 功能描述:IGBT 1700V 130A 465W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75DA60T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75DDA60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DDA60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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