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參數資料
型號: APTGU90H120
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-12
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 194K
代理商: APTGU90H120
APTGU90H120
A
PT
G
U
90
H
12
0
R
ev
1
Ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
130
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
90
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
315
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
568
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
315A @ 960V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
E2
G2
G4
E4
E3
G1
E1
0/VBUS
VBUS
OUT2
OUT1
G3
VCES = 1200V
IC = 90A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Power MOS 7 Punch Through (PT) IGBT
-
Low conduction loss
-
Ultra fast tail current shutoff
-
Low gate charge
-
Switching frequency capability in the 50kHz
range
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Low profile
Full - bridge
PT IGBT Power Module
相關PDF資料
PDF描述
APTM100A12ST 68 A, 1000 V, 0.12 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A12STG 68 A, 1000 V, 0.12 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APTM100AM90F 78 A, 1000 V, 0.105 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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