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參數資料
| 型號： | AS4LC1M16E5 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 6的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數： | 6/22頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5 |
AS4LC1M16E5
4/11/01
Alliance Semiconductor
6
Write cycle
Shaded areas indicate advance information.
Read-modify-write cycle
Shaded areas indicate advance information.
Refresh cycle
Shaded areas indicate advance information.
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
–
0
–
ns
14
Write command hold time
10
–
10
–
ns
14
Write command pulse width
10
–
10
–
ns
Write command to RAS lead time
10
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
10
–
ns
Data-in setup time
0
–
0
–
ns
15
Data-in hold time
8
–
10
–
ns
15
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
113
–
135
–
ns
RAS to WE delay time
67
–
77
–
ns
14
CAS to WE delay time
32
–
35
–
ns
14
Column address to WE delay time
42
–
47
–
ns
14
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
–
5
–
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
–
10
–
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
–
10
–
ns
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PDF描述 |
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參數描述 |
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