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參數資料
| 型號： | AS6VA5128 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| 中文描述： | 2.7V至3.3V為512k × 8 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM的 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | AS6VA5128 |
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
10/6/00
AS6VA5128
Package diagrams and dimensions
Minimum
Typical
Maximum
A
–
0.75
–
B
B1
6.90
–
7.00
3.75
7.10
–
C
10.90
11.00
11.10
C1
D
–
5.25
0.35
–
0.30
0.40
E
–
–
1.20
E1
E2
–
0.68
0.25
–
0.22
0.27
Y
–
–
0.08
Notes
1. Bump counts: 36(48) (8 row × 6 column).
2. Pitch: (x,y) = 0.75 mm × 0.75 mm (typ).
3. Units: millimeters.
4. All tolerances are ±0.050, unless otherwise specified.
5. Typ: typical.
6. Y is coplanarity: 0.08 (max).
36(48)-ball FBGA
Bottom View
Top View
1
2
3
4
5
6
Ball #A1
C1
A
A
B1
A
B
C
D
E
F
G
H
SRAM Die
Ball #A1 index
C
Elastomer
B
Side View
Detail View
D
E
E2
E1
Die
Die
A
E2
E
0.3/Typ
Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS6VA5128-BC | 2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| AS6VA5128-BI | 2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| AS6VA5128 | 2.7V to 3.3V 512K × 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM(2.7V 到 3.3V 512K × 8 Intelliwatt 低功耗 CMOS 靜態RAM) |
| AS6WA25616 | 3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
| AS6WA25616-BI | 3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AS6VA5128-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| AS6VA5128-BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| AS6WA25616 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
| AS6WA25616-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
| AS6WA25616-BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
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