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參數(shù)資料
型號: ATP202
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: HALOGEN FREE, ATPAK, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 256K
代理商: ATP202
ATP202
No. A1317-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.2
2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=25A
10
17
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=25A, VGS=10V
912
RDS(on)2
ID=13A, VGS=4.5V
14
20
Input Capacitance
Ciss
VDS=10V, f=1MHz
1650
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=10V, f=1MHz
285
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=10V, f=1MHz
160
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
16
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
185
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
93
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
93
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=15V, VGS=10V, ID=50A
27
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=15V, VGS=10V, ID=50A
7.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=15V, VGS=10V, ID=50A
4
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=50A, VGS=0V
0.97
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=25A
RL=0.6Ω
VDD=15V
VOUT
ATP202
VIN
10V
0V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATP207 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP207 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
CBJR12-1 BOARD TERMINATED, RF CONNECTOR, SOLDER, JACK
CBJR12A-2 BOARD TERMINATED, RF CONNECTOR, SOLDER, JACK
CMIT-019-03-C-D-K 38 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SURFACE MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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